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KSC2轻触开关提供清晰的轻触反馈，使用户更容易知道输入已被记录。使用重新设计的KSC2系列产品会使产品更加可靠、易于使用且安全，终使终端用户受益。
aptiv　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
得益于双堆叠发射器技术和透明硅树脂封装，OSLON Black系列的SFH 4726AS实现小尺寸、高功率、高效率和优化的热管理，有效减小散热设计的压力；
　　 采用3.75×3.75mm的透明硅树脂封装，内置1mm2堆叠红外芯片，单颗光功率可达2W以上，为手持扫描仪这样小巧空间的应用提供更多光源设计空间。

　　推出的ITV2718尺寸为2.7 x 1.8mm，提供5安培、三端子保险丝。 这种创新设计可利用嵌入式保险丝和加热器元件组合快速做出反应，在过充或过热情况发生之前中断电池组的充电或放电电路。
　　全新的第八代BiCS FLASH2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采用的第五代BiCS FLASH的QLC产品提高了约2.3倍，写入能效比提高了约70%。不仅如此，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，为业界提供领先的4TB容量，并采用更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm。
推出六款新型电源模块，旨在提升功率密度、提高效率并降低 EMI。这些电源模块采用德州仪器专有的 MagPack 集成磁性封装技术，与市场上同类产品相比，尺寸缩小了多达 23%，支持工业、企业和通信应用的设计人员实现更高的性能水平。
　　SQ100 的 SPAD 分辨率为 768 (H) x 576 (V)，具有 3×3，6×6，3xn 等多种 binning 方式；在垂直方向可按照4/8/16个像素进行分区，在水平方向可按照8/16/32/48/64/…/256个像素进行分区。SQ100 提供了超灵活分区的 2D 可寻址方案，在真正解决行业长期面临的”高反污染”（Blooming）问题的同时，还能保持高帧率和远测距能力，扫清了 VCSEL+SPAD 量产路线上重要的性能阻碍。
　　随着电子产品的不断微型化，瑞士微晶（Micro Crystal）通过推出的 C8 系列产品实现了重大飞跃。这一系列超小型实时时钟（RTC）模块，专门用于紧凑和轻型设计，为致力于开发更小、更高效电子设备的工程师铺平了道路。

HP5354.A 采用定制电陶瓷配方设计，在单个贴片中贴片解决方案中提供“堆叠贴片 L1-L5 性能”。它“具有 2.61dBi 的无源峰值增益，针对 GPS L1-L5、北斗 B1、伽利略 E1 和格洛纳斯 G1 操作进行了优化，可与下一代双频 GNSS 接收器配合使用”。
aptiv　　通过采用更先进的印刷电路板(PCB)和环氧树脂模塑料(EMC)[2]工艺，新一代LPDDR DRAM的封装厚度仅0.65毫米(mm)，薄如指甲，超过之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外，三星优化了背面研磨工艺[3]，进一步压缩了封装厚度。
SMART Modular世迈科技DRAM产品总监Arthur Sainio说明这款产品的重要性，「SMART推出具备表面涂层的DDR5 RDIMM内存模块，完美融合性能和卓越可靠性，专为下一代沉浸式液冷技术的数据中心所设计。
TDK 将以开发新产品固态电池为目标，努力开发电池芯和封装结构设计，并向量产迈进。此外，TDK 还将运用在电子元件业务中积累的生产工程技术，通过积层层压技术提高电池容量，并扩大其工作温度范围。